企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 江苏 南京 |
联系卖家: | 孟先生 先生 |
手机号码: | 15190025037 |
公司官网: | www.0512zxy.com |
公司地址: | 苏州市吴中区国家环保产业园 |
发布时间:2022-02-14 04:28:06
电池片的制作工艺
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体***成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四***而被去除。
化学公式: CF 4 +SIO 2 =SIF 4 +CO 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
单晶硅片
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,***限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONT>N 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。
太阳电池片标准
5 、 检测方法
5.1 设计和结构
5.1.1 基体材料
电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。
5.1.2 电极
5.1.2.1 电池电极的完整性、电极图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。
5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下,目测电极是否变色。
5.1.2.3 电池电极的导电性按 GB/T17473.3 进行。
5.1.2.4 电池电极的可焊性按 GB/T17473.7 进行。
5.1.3 背面铝膜
5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测
通过检测电池的弯曲变形,验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台,电池背面朝下水平放置,用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。
5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验
如图 2 所示放置样品,在满足 EVA 充分交联的条件下压层,取出后立即撕下四氟布,待冷却到室温后,用刀割断 EVA 和铝膜,撕去 EVA 条,观察有无铝膜脱落。
5.1.3.3 背面铝膜外观检验
背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量,图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。
5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。
5.1.4 减反射膜附着强度检测
减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法,胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行,减反射膜不脱落。
电池片生产工艺流程
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级光伏电池,银浆布,单晶硅,光伏电池,太阳能电池板,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,二手,旧工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,聚酰薄膜,***限结晶硅,光伏电池,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
电池片生产流程
一
、
制绒
a.
目地
在硅单晶的表面产生坑凹状表面,降低电池片的反射的自然光,提升二次反射的总面积。
一般状况下,用碱解决是以便获得金字塔状磨砂皮;用酸处理是以便获得虫孔状磨砂皮。无论是哪样磨砂皮,都能够提升硅单晶的陷光***。
b.步骤
1.
基本标准下,硅与单纯性的HF、HNO
3
(硅表面会被钝化处理,二氧化硅与HNO
3
不反映)觉得不是反映的。但在二种混和酸的管理体系中,硅则能够与水溶液开展不断的反映
。
硅的氧化
***化钠/(HNO
2
)将硅氧化成二氧化硅(关键是将硅氧化)
Si 4HNO
3
=SiO
2
4NO
2
2H
2
O
(慢反映
3Si 4HNO
3
=3Si
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