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学用硅的工艺流程包括炉料准备，电炉熔炼，硅的精制和浇铸，除去熔渣夹杂而进行的破碎。在炉料配制之前，所有原料都要进行必要的处理。硅石在颚式破

碎机中破碎到块度不大于100mm，筛出小于5mm的碎块,并用水冲洗洁净。因为熔炉中碎块在炉膛上部熔融，从而降低了炉料的透气性，使生产过程难以进

行。石油焦有较高的导电系数，要破碎到块度不大于10mm，又要控制石油焦的粉末量。因其在炉膛口上直接燃烧，会造成还原剂不足。     

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为了保持炉内有良好的透气性，需要进行扎眼和捣炉。小捣炉根据炉况而进行，大捣炉一般每一个小时左右进行一次，捣炉要快要透，捣炉捣出的块料推向炉

心，捣炉过程中不能边捣炉边加新料。一个电极区一个电极区进行捣炉的操作是不可取的，必须集一捣炉、统一加料，这样才能保持较高的熔炼温度。稳定炉子

操作的因素是保持料层中恒定的温度分布。      

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金属硅粉粉磨行业先锋——深湘柱磨机柱磨机是由长沙深湘通用机器有限公司***研发、具有完全***自主知识产权并获得***

发明的一种新型立式磨机.采用了新颖的中速脉动、连续反复低压力的辊压粉磨原理和科学的结构设计，因此它同时具有高压辊压机和辊式磨的性能，而又无其

缺陷。当电机带动减速装置使主轴旋转时，主轴上安装的支座及安装在支架上的几个辊轮在环锥形内衬中转动，辊轮与内衬之间有可调的间隙，当物料从进料口进入

磨机后，由于重力作用和上部推料作用，使物料均匀从内衬四周从上至下通过，并被辊轮反复辗压成粉末，后从磨机下部自动排料。    

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变硅技术与双闸极式(double-gate)和三闸极式(triple-gate)晶体管，绝缘件(SOI)硅片等新设计思想一样，使芯片制造商们能够维持摩尔定律建立起来的性能曲线，这个半

导体行业的原理称：每两年制造商们就会把芯片内晶体管的数目增加一倍。但是处理器的性能提高的同时又产生了其它问题，比如能量消耗更大等，这就促使设计者们去寻找有创造性的解决方案。 

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