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电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ >4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

电池片区别

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

电池片差别 

太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素，基本上满地常有硅的存有，百口莫辩取之不竭，用硅来生产制造太阳电池，原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易，因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起，又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池，迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池，都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多，随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池，除硅系列产品外，也有***、***化***、铜铟硒等很多种类的太阳电池，不胜枚举，下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。

太阳能发电板行情回收破碎太阳能发电板

非晶硅片 

在强烈阳光底下，单晶体式太阳能光伏板较非晶体式可以转换多一倍左右的太阳能发电为电磁能，但可是单晶体式的价比非晶体式的价格昂贵两三倍左右，并且在阴雨天的状况下非晶体式反倒与结晶式可以搜集到类似相同多的太阳能。

发电因为单晶硅电池片和多晶硅电池片早期生产工艺流程的不一样，使他们从外型到电气性能常有某些差别。从外型上看：单晶硅电池片4个角呈圆弧形，表层沒有纹路；多晶硅电池片4个角为方角，表层有相近冰花相同的纹路。 

针对使用人而言，单晶硅充电电池和多晶硅充电电池是沒有很大差别的。单晶硅充电电池和多晶硅充电电池的使用寿命和可靠性都非常好。尽管单晶硅充电电池的均值变换比多晶硅充电电池的均值变换l％上下，可是因为单晶硅太阳电池只有制成准方形(其4个角是弧形)，当构成太阳电池部件时总有部分总面积填未满，而多晶硅太阳电池是方形，找不到这一难题，因而针对太阳电池部件的而言基本上是相同的。另一个，因为二种太阳电池原材料的生产制造加工工艺不同，多晶硅太阳电池生产制造全过程中耗费的动能要比单晶硅太阳电池少30%上下，因此多晶硅太阳电池占全世界太阳电池总产值的市场份额愈来愈大，生产制造成本费也将大大的低于单晶硅充电电池，因此应用多晶硅太阳电池将更环保节能、更环境保护。

 太阳能发电板行情

 回收破碎太阳能发电板

电池片各工序影响因素及异常情况

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电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度过高，先就是说IPA不太好操纵，溫度一高，IPA的蒸发迅速，汽泡印就会随着出現，那样就大大减少了PN结的合理总面积，反映加重,还会出現影片的飘浮，导致残片率的提升。可控性水平：调整设备的设定，能够非常好的调整溫度。 

2.時间金字塔式随時间的转变：金字塔式慢慢冒出；表层上基础被小金字塔式遮盖，少数刚开始成才；金字塔式满布的绒面早已产生，仅仅尺寸不匀称，透射率也降至较为低的状况；金字塔式向外扩大企业兼并，容积慢慢澎涨，规格趋向平等，透射率略微降低。可控性水平：调整机器设备主要参数，能够精准的调整時间。 

3.IPA1.帮助氡气的释放出来。2.变弱NaOH水溶液对硅片的浸蚀幅度，调整各向系数。纯NaOH水溶液在高溫下对分子排序较为稀少的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大，每个晶面被浸蚀而消溶，IPA显著变弱NaOH的浸蚀抗压强度，提升了浸蚀的各向异性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高，碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱，各向异性系数又趋向3。可控性水平：依据初次配液的含水量，及每一次大概耗费的量，来填补足量的液體，线性度不高。