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目前晶体硅太阳能电池（包括单晶和多晶）的转化效率都在百分之十五以上，而非晶硅太阳能的转化效率一般不超过百分之十，且存在衰减现象，非晶硅薄膜电池的好处就是消耗的硅料少，成本比晶硅电池低。目前市场上、的认识晶硅太阳能电池。

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多晶硅的品质和规格

多晶硅按外形可分为：块状多晶硅和棒状多晶硅；

等级分为：一、二、三级免洗料。

多晶硅的检测

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    边缘抛光 

    硅片边缘抛光的目地是以便除去在硅片边缘残余的腐蚀坑。当硅片边缘越来越光洁，硅片边缘的地应力也会越来越匀称。总之，安装光伏电站前期一定要进行考察，选择靠谱品牌和安装商，产品和***服务有保证，才能保障你可以获得长期稳定的收益。地应力的分布均匀，使硅片更牢固。抛光后的边缘能将颗粒物尘土的吸咐降至少。硅片边缘的抛光方式 类似硅片表面的抛光。硅片由一真空泵离心管吸起，以一定视角在一转动桶旋转且不防碍桶的竖直转动。该桶有一抛光垫片并有水泥砂浆穿过，用一化学/机械设备抛光法将硅片边缘的腐蚀坑清除。另一种方式 是只对硅片边缘开展酸腐蚀。 

    加热清理（Class1k） 

    在硅片进到抵御平稳前，必须清理，将有机化合物及金属材料脏污清除，假如有金属材料残余在硅片表面，当进到抵御平稳全过程，溫度上升时，会进到硅身体。所有分布式光伏电站项目自备案之日起3个月内必须实质性开工建设、6个月建成并网去年10月，《关于促进储能产业与技术发展的指导意见》正式发布。这儿的清理全过程是将硅片浸入在能清除有机化合物和金属氧化物的清洁液（H2SO4 H2O2）中，很多金属材料会以金属氧化物方式融解入有机化学清洗剂中；随后，用盐酸（HF）将硅片表面的空气氧化层融解以清除废弃物。

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    抵御平稳——淬火（ Class 1k） 

    硅片在 CZ 炉内高浓的氧气氛里生长发育。 由于绝大多数的氧是可塑性的， 殊不知仍有数的氧会形 成小基团。在困难与机遇并存的市场条件下，为振兴光伏产业，***在推进改革和财政支持上近年都做出了极大努力。这种基团会饰演 n-施主的人物角色，就会使硅片的电阻检测有误。要避免这一问 题的产生， 硅片务必加温到 650℃上下。 这一高的溫度会使氧产生大的基团而不容易危害电 阻率。随后对硅片开展激冷，以阻拦小的氧基团的产生。这一全过程能够 合理的清除氧做为 n- 施主的特点，并使真实的电阻趋于稳定。 

    背封（ Class 10k） 

    针对重掺的硅片而言，会历经一个高溫环节，在硅片反面淀积一层塑料薄膜，能阻拦掺杂剂的向 扩散。电池板,太阳能板回收价格发电政策出台与完善，对于居民申请光伏发电系统的流程也逐渐清晰明了。这一层就好似密封剂一样避免掺杂剂的肇事逃逸。一般有三种塑料薄膜被用于做为背封原材料： 二氧化硅（ SiO2）、氮化硅（ Si3N4）、光伏电池。假如金属氧化物或氮化合物用于背封，能够 严苛地认 为是一密封剂，而假如选用光伏电池，除开关键做为密封剂外，还具有了外界吸杂***。 图 1.3 举例子了加热清理、抵御平稳和背封的流程。

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硅片的化学清***结

硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层也会引入外延缺陷；后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。因为氧化层是 “沾污陷阱 ”，清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能 :

(1) 去除硅片表面的污染物。 溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的 CO2 和 H2O ； 

(2) 防止被除去的污Z 电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。 在碱性溶液中， 硅片表面和多数的微粒子是以负的 Z 电势存在， 有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片表面以负的 Z 电势存在，而多数的微粒子是以正的 Z 电势存在，不利于颗粒的去除。