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变频器维护 

由于逆变器仅由固态电路元件，它可能被误认为是如果设备免维护但是，在实践中，尤其是在结合转换器和逆变器，转换器的平滑装置的电解电容器是使用寿命有限的部件，随着时间的推移无法避免，将需要更换。在由于故障而导致长期停止的应用中，作为预防性维护，优选以约5至10年的间隔定期更换电解电容器。近年来，具有较小容量的逆变器，例如用于电动机的逆变器，近年来已经减小了尺寸，并且元件通常被风扇强制冷却。因此，期望以2-4年的间隔定期更换风扇。

1、逆变效率。

逆变效率是衡量逆变器性能的一个重要参数，逆变效率值用来表征其自身损耗功率的大小，通常以%来表示。逆变器中逆变效率

直接关系到系统效率，如果逆变器逆 变效率过低，将严重导致系统效率下降。在太阳能光伏发电系统中，太阳电池方阵的转换效率目前一般不超过18%，且太阳电池的成本较高，如果想提高2%一3 %转换效率非常困难，但提高逆变器逆变效率3%一5%却是完全可能的。逆变器效率的高低是逆变器性能好坏的一个该要标准，对光伏发电系统提高发电量和降低 发电成本有着重要影响。

多晶硅生产流程　　

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水***（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（SiHCl3）。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1，SiНС13，SiC14，Si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化（多级精馏）。

（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1，SiНС13，SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。