漳州AB组件回收公司承诺守信「多图」

硅片的清洁　　

半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

特点

播报PCB之所以能受到越来越广泛的应用，是因为它有很多的优点，大致如下： [可高密度化多年来，印制板的高密度一直能够随着集成电路集成度的提高和安装技术的进步而相应发展。 高可靠性通过一系列检查、测试和老化试验等技术手段，可以保证PCB长期(使用期一般为20年)而可靠地工作。 可设计性对PCB的各种性能(电气、物理、化学、机械等)的要求，可以通过设计标准化、规范化等来实现。这样设计时间短、效率好。

硅片的工艺　　

面临挑战：　　

切割线直径　　

更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。

荷载

每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。

切割速度

切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。

易于维护性

线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。

生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。

第三种产生光伏组件PID效应的原因是：光伏组件的边缘部分容易有水气进入，EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na离子，会与电池片表面的银栅线发生反应，从而腐蚀电池栅线，导致串联电阻的升高，导致组件性能衰减，此类衰减不可恢复。

可知，光伏组件PID效应形成的原因主要有两类：

1.原PN结电场情况改变，或存在其它的电流通道，造成实际流过PN结的光生电流减小；

2.器件受到离子迁移的影响，材料性能发生了不可恢复的变化，和原始制造出的组件相比，输出功率变小。

目前，根据光伏组件PID效应产生原因，尽管可分别从电池、组件和系统端减弱或避免PID，但PID效应的影响终还是体现在电池片上。因此，建议电池厂家对产品进行更的研究，上下游结合，整体考虑高的解决方案。

3，  醇铝水解法即为异丙醇铝法。宣城有一家是用的这种方法，目前日本和美国也主要采取这种工艺生产高纯度氧化铝，产品纯度高达到5个9，主要用于LED蓝宝石长晶行业。这种工艺比较复杂，国内能掌握此技术的很少。和直接水解法相比，这种工艺的主要优点是：

1）高纯铝和醇类反应充分，不需要加工成粉末，避免加工过程中带入Fe,Ti等杂质引入。

2）可以再次提纯，反应得到的异丙醇铝可以在230-250度下8级塔板精馏，以气态的形式收集高纯异丙醇铝，铁、钛、镍、锆、铅、镁等金属杂质不会气化，留在釜底。 冷凝下来的高纯异丙醇铝还可以再次用陶瓷膜分离，游离金属杂质钾，钠，锌等都被除去。

3）粉体在净化室内5n氮气氛围下煅烧减少了污染。

4）块体采用1000吨预压，再等静压，密度可以达到3.7。